描述：STD60NF06T4
此功率MOSFET系列是使用意法半導體的獨特產品開發的STripFET™工藝，專門設計用于最小化輸入電容和門控費。 這使得該設備適合用作主開關適用于電信和計算機的高級高效隔離式DC-DC轉換器應用，以及具有低柵極電荷驅動要求的應用。
特性：STD60NF06T4
•出色的dv / dt功能
•經過100％雪崩測試
•低柵極電荷
應用領域：STD60NF06T4
•切換應用
產品種類:MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術:Si
安裝風格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:TO-252-3
通道數量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:60 V
Id-連續漏極電流:60 A
Rds On-漏源導通電阻:14 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 175 C
Pd-功率耗散:110 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
封裝:Cut Tape
封裝:MouseReel
封裝:Reel
高度:2.4 mm
長度:6.6 mm
系列:STD60NF06
晶體管類型:1 N-Channel
類型:MOSFET
寬度:6.2 mm
商標:STMicroelectronics
正向跨導 - 最小值:20 S
下降時間:20 ns
產品類型:MOSFET
上升時間:108 ns
工廠包裝數量:2500
子類別:MOSFETs
典型關閉延遲時間:43 ns
典型接通延遲時間:16 ns
單位重量:4 g
