描述：STD4NK80ZT4
SuperMESH™系列可通過以下方式獲得：對ST的完善進行了徹底的優化基于條帶的PowerMESH™布局。 此外大大降低導通電阻，特別注意確保良好的dv / dt最苛刻的應用程序的能力。這樣的系列補充了ST全系列的高包括革命性的高壓MOSFETMDmesh™產品。
特性：STD4NK80ZT4
■極高的dv / dt功能
■經過100％雪崩測試
■柵極電荷最小化
■極低的固有電容
■極好的制造重復性
應用領域：STD4NK80ZT4
■切換應用
制造商:STMicroelectronics
產品種類:MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術:Si
安裝風格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:TO-252-3
通道數量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:800 V
Id-連續漏極電流:3 A
Rds On-漏源導通電阻:3.5 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓:10 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:3 V
Qg-柵極電荷:22.5 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:80 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
封裝:Cut Tape
封裝:MouseReel
封裝:Reel
高度:2.4 mm
長度:6.6 mm
系列:STD4NK80Z
晶體管類型:1 N-Channel MOSFET
類型:MOSFET
寬度:6.2 mm
商標:STMicroelectronics
正向跨導 - 最小值:2.9 S
下降時間:32 ns
產品類型:MOSFET
上升時間:12 ns
工廠包裝數量:2500
子類別:MOSFETs
典型關閉延遲時間:35 ns
典型接通延遲時間:13 ns
單位重量:4 g
