描述：STF18NM60N
這些器件是N溝道功率MOSFET使用第二代MDmesh™技術。 革命力量MOSFET將垂直結構與公司的鋼帶布局產生了世界上最大的鋼帶布局之一最低的導通電阻和柵極電荷。 它是因此適合最苛刻的高效率轉換器。
特性：STF18NM60N
■經過100％雪崩測試
■低輸入電容和柵極電荷
■低柵極輸入電阻
應用領域：STF18NM60N
■切換應用
制造商:STMicroelectronics
產品種類:MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術:Si
安裝風格:Through Hole
封裝 / 箱體:TO-220-3
通道數量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:650 V
Id-連續漏極電流:13 A
Rds On-漏源導通電阻:260 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:25 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:3 V
Qg-柵極電荷:35 nC
Pd-功率耗散:30 W
配置:Single
商標名:MDmesh
封裝:Tube
系列:STF18NM60N
晶體管類型:1 N-Channel
商標:STMicroelectronics
下降時間:40 ns
產品類型:MOSFET
上升時間:22 ns
工廠包裝數量:1000
子類別:MOSFETs
典型關閉延遲時間:50 ns
典型接通延遲時間:20 ns
單位重量:330 mg
