描述：STGD6NC60HDT4
該器件是使用高級PowerMESH™開發的非常快速的IGBT。技術。 此過程保證了切換之間的出色權衡性能和低通態行為。 該設備非常適合諧振或軟交換應用。
特性：STGD6NC60HDT4
•低導通壓降（VCE（sat））
•低CRES / CIES比（無交叉傳導敏感性）
•非常柔軟的超快恢復反并聯二極管
•高頻運行
應用領域：STGD6NC60HDT4
•高頻逆變器
•硬開關和諧振拓撲中的SMPS和PFC
•電機驅動器
制造商:STMicroelectronics
產品種類:IGBT 晶體管
RoHS: 詳細信息
技術:Si
封裝 / 箱體:DPAK-3
安裝風格:SMD/SMT
配置:Single
集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V
集電極—射極飽和電壓:1.9 V
柵極/發射極最大電壓:20 V
Pd-功率耗散:50 W
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
系列:STGD6NC60HDT4
封裝:Cut Tape
封裝:MouseReel
封裝:Reel
集電極最大連續電流 Ic:15 A
高度:2.4 mm
長度:6.6 mm
寬度:6.2 mm
商標:STMicroelectronics
集電極連續電流:6 A
柵極—射極漏泄電流:100 nA
產品類型:IGBT Transistors
工廠包裝數量:2500
子類別:IGBTs
單位重量:350 mg
