描述：STD10NM60N

這些器件是N溝道功率MOSFET
使用第二代
MDmesh™技術。 革命力量
MOSFET將垂直結構與
公司的鋼帶布局產生了世界上最大的鋼帶布局之一
最低的導通電阻和柵極電荷。 它是
因此適合最苛刻的高
效率轉換器


特征：STD10NM60N
•經過100％雪崩測試
•低輸入電容和柵極電荷

•低柵極輸入電阻

應用領域：STD10NM60N

•切換應用

STD10NM60N

制造商: STMicroelectronics
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-252-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V
Id-連續漏極電流: 10 A
Rds On-漏源導通電阻: 550 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 25 V, + 25 V
Qg-柵極電荷: 19 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 70 W
通道模式: Enhancement
商標名: MDmesh
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
系列: STD10NM60N
晶體管類型: 1 N-Channel
商標: STMicroelectronics
下降時間: 15 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 12 ns
工廠包裝數量: 2500
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 32 ns
典型接通延遲時間: 10 ns
單位重量: 4 g