描述:STB6NK90ZT4
這些高壓器件是齊納保護的N溝道功率MOSFET使用意法半導體(STMicroelectronics)的SuperMESH™技術開發的
優化完善的PowerMESH™。 除了重大
這些器件旨在降低導通電阻,以確保高水平的dv / dt
最苛刻的應用程序的功能。
特征:STB6NK90ZT4
訂貨代碼VDS RDS(on)max。 ID
STB6NK90ZT4
900 V 2歐姆5.8 A
STP6NK90Z
STP6NK90ZFP
STW7NK90Z
•極高的dv / dt功能
•經過100%雪崩測試
•柵極電荷最小化
•齊納保護
•切換應用
制造商: STMicroelectronics
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: D2PAK-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 900 V
Id-連續漏極電流: 5.8 A
Rds On-漏源導通電阻: 2 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V
Qg-柵極電荷: 46.5 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 140 W
通道模式: Enhancement
商標名: SuperMESH
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 4.6 mm
長度: 10.4 mm
系列: STB6NK90ZT4
晶體管類型: 1 N-Channel Power MOSFET
類型: MOSFET
寬度: 9.35 mm
商標: STMicroelectronics
正向跨導 - 最小值: 5 S
下降時間: 20 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 45 ns
工廠包裝數量: 1000
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 20 ns
典型接通延遲時間: 17 ns
單位重量: 4 g