描述：STB60NF06LT4

該功率MOSFET系列實現了
意法半導體獨特的STripFET™工藝
專為減少輸入而設計
電容和柵極電荷。 因此，這是理想的
作為高級高效的主要開關
用于電信和電信的隔離式DC-DC轉換器
計算機應用程序。 也適用于任何
低柵極電荷驅動的應用
要求


特征：STB60NF06LT4
訂單代碼VDS
RDS（上）
最高
ID PTOT
STB60NF06LT4 60 V 0.014Ω60 A 110 W
•專為汽車應用和
符合AEC-Q101
•出色的dv / dt功能
•經過100％雪崩測試
•面向應用程序的表征
•175°C的工作范圍

•低閾值驅動

應用領域：STB60NF06LT4

•切換應用

STB60NF06LT4

制造商: STMicroelectronics
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-263-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V
Id-連續漏極電流: 60 A
Rds On-漏源導通電阻: 14 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
最小工作溫度: - 65 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 110 W
通道模式: Enhancement
資格: AEC-Q101
商標名: STripFET
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 4.6 mm
長度: 10.4 mm
系列: STB60NF06LT4
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: MOSFET
寬度: 9.35 mm
商標: STMicroelectronics
正向跨導 - 最小值: 20 S
下降時間: 30 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 220 ns
工廠包裝數量: 1000
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 55 ns
典型接通延遲時間: 35 ns
單位重量: 4 g