三星首次公布了3nm制造技術的一些細節——3nm工藝中將使用類似全柵場效應晶體管(GAAFET)結構。不過有消息爆出，臺積電的2nm工藝將采用GAA架構。也就是說，2nm或將是FinFET結構全面過渡到GAA結構的技術節點。在經歷了PlanarFET、FinFET后，晶體管結構將整體過渡到GAAFET、MBCFET結構上。此外，一些新材料在制造過程中也將被引入。新思科技研究人員兼電晶體專家Moroz表示，到了未來的技術節點，間距微縮將減緩至每世代約0.8倍左右。工程師們開始探索其他許多技術，以降低金屬導線上的電阻率，從而為加速取得優勢開啟大門。其方式包括新的結構，例如跨越多個金屬層的梯度和超導孔(super-vias)。

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以及使用鈷(Co)和釕(Ru)等新材料。無論是結構上的創新還是新材料的引入，2nm是一個非常關鍵的節點。原有的很多技術難以滿足要求，產業界需要從器件的架構、工藝變異、熱效應、設備與材料等方面綜合解決。歐洲、日本均將重振芯片制造的突破重點放在2nm上，目的顯然是希望在技術革新的關鍵節點導入，實現“換道超車”，同時以此為契機向1納米甚至?(埃米)領域推進。不過2nm的開發并不容易，隨著摩爾定律走向物理極限，芯片的制造面臨著技術與成本的雙重瓶頸。根據莫大康的介紹，目前的EUV光刻機其精度仍不足以滿足2nm的需求。光刻技術的精度直接決定工藝的精度，對于2nm的先進工藝，高數值孔徑的EUV技術還亟待開發。

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