NCE3013J_NCEP30T19G導讀

這個電流通路的電阻被稱為MOS管內阻，也就是導通電阻。這個內阻大小基本決定了MOS管芯片能承受得多大導通電流（當然和其它因素有關，如熱阻）。內阻越小承受電流越大（因為發熱小）。

所以管子的穩定性和制造工藝密不可分，差的工藝可能導致這些小管的參數不那么一致。它們的各種開關動作幾乎是一致，當然燒壞時，肯定有先承受不了的小管先壞。

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NCE3404Y NCE3400A NCE3400 NCE30ND07AS NCE3008N 。

該公司創始人Felix Zandman是一位科學家、發明家和企業家，擁有71項專利，寫過四本書和許多論文，曾獲得美國電子工業榮譽獎章，法國榮譽勛章等眾多獎項。Vishay由Felix Zandman博士在1962年創立，以他自己的4千美元積蓄和其表兄Alfred P. Slaner的資助起家，不斷發展成為紐約證券交易所上市的“財富1000 強企業”。。

MOS管的三個管腳之間有寄生電容存在，這不是我們需要的，而是由于制造工藝限制產生的。

在不見天日的17個月里，Zandman的叔叔教他代數、三角、幾何和物理。Zandman于1928年生于波蘭，在二戰納粹大屠殺期間，Zandman外婆曾經救助過的老管家收留了Zandman，他和其他四個人在管家家的地板下躲藏了17個月，才得以逃過了大屠殺。1956年，Zandman移居到美國，并在1962年創辦了Vishay。。可以說，在那段較黑暗的日子里Zandman學習掌握的知識為他開創Vishay奠定了基礎。戰后，Zandman移民到法國，獲得機械工程、應用機械和普通物理的學位，在巴黎的Sorbonne大學獲得機械物理的博士學位。

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NCE3407A

這兩個因素使Vishay的MELF電阻成為具有低噪聲要求的高端音頻應用的選擇。Vishay的MELF電阻生產運用先進的真空濺射工藝，在超高真空室內，在十分光滑的鋁襯底上沉積一層具有極高微觀結構質量的專有鎳鉻合金。這種精密內部結構為低噪聲性能奠定了理想基礎，而電阻的圓柱形狀又進一步增強了低噪聲性能。憑借在相同焊盤尺寸下比扁平片式電阻大3.14倍的表面積，這些器件可產生高很多的縱橫比，進而導致沿著電阻的場強非常低。要知道，局部電場強度是產生電流噪聲的主要來源。與厚膜電阻相比，通常可提供約-40 dB V/Hz的頻譜密度改善，這個數字在薄膜電阻情況下約為-10 dB V/Hz，如圖2所示。

NCE3075Q NCE3015S NCE3400E NCE3065K NCE3095AK 。

NCE3020K NCE3025Q NCE3035K NCE3025G NCE3030K 。

TNPU e3系列器件TCR低至 2 ppm/K，外形尺寸分別為0603、0805和1206，阻值從500 到20 k。

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而鋰電池保護板的主要作用：1過充電保護， 2短路保護， 3過電流保護，4過放電保護， 5正常狀態。

MOS管NCE3401是一款-30V漏源電壓，4.2A電流，SOT-23封裝的P溝道MOS管。。

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