IR1010EPBF品牌IR

IR1010EPBF封裝TO-220

IR1010EPBFMOSFET N-CH 60V 84A TO220AB

IR1010EPBF參數：

FET 類型 N 通道

技術 MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 60 V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id) 84A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值） 12 毫歐 @ 50A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值） 4V @ 250µA

不同 Vgs 時柵極電荷(Qg)（最大值） 130 nC @ 10 V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值） 3210 pF @ 25 V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 200W（Tc）

工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型 通孔

供應商器件封裝 TO-220AB

封裝/外殼 TO-220-3

隨著物聯網的快速發展，越來越多的白色家電中配備了Wi-Fi通信功能。為了保證通信功能的正常運行，這些家電必須始終處于通電狀態，此舉無IR1010EPBF疑增加了產品的待機功耗。此外，由于家電產品的顯示器越來越大、功能越來越豐富，因此顯示部分還需要再搭配高性能IR1010EPBF的微控制器，進一步增加了產品的工作功耗。早在2013年歐盟就制定了0.5W MEPS（最低能效）標準，家電制造商要想IR1010EPBF達到這個要求，在技術上必將面對巨大的挑戰。有效地對電機和微控制器進行控制，進一步降低待機功耗，家電行IR1010EPBF業傳統的主要做法是：從AC/DC、DC/DC這些電源部分和電機部分入手，配置用來檢測交流（AC）波形的過零檢測電路IR1010EPBF。在以往的過零檢測電路中，通常會使用光耦，雖然能將能耗從3.6W降到1.7W，降低了約50%，但依然無法達到0.5W的IR1010EPBF目標。此外，光耦的延遲比較大，發光管老化也會引起轉換效率的降低。當然，光耦方案在市場上之所以保持10年未變IR1010EPBF，與過零檢測電路沒有得到足夠的重視有一定關系。在節能呼聲日漸高漲的今天，市場亟需一項新技術和新產品來解IR1010EPBF決待機功耗居高不下的問題。