MOS管是電壓驅動型器件，只要柵極G和源級S間給一個適當電壓，源級S和D間導電通路就形成。作為驅動部分的開關管，MOS管的主要被關注點是耐壓，耐流值以及開關速度。
上面就是功率mos管NCE80H12的規格書，我們電動車控制器上用的功率mos管NCE80H12其實和平常cmos集成電路中的小功率mos結構是不一樣的。
03P2J-T1_03P2J-T1" src="http://member.51dzw.com/CompanyFile/202107/20210710113369306930.jpg" />
040222R5%
FDS6990-NL HAT2092R HAT2092RJ IRF8313TRPBF MDS5601URH 。
STC5NF20V STG8205 STG8810 STN8205AAST8RG TM8205FC 。
TPCS8205 TPCS8212 TSM6866SDCA RV UPA1852GR-9JG-A UT8205A 。
057N08N 057N08NS 05852- 06000,, 06031.5K5% 。
03P2J-T1_03P2J-T1" src="http://member.51dzw.com/CompanyFile/202107/20210710113473287328.jpg" />
0805GS-68NJC
060322R5% 0603270K5% 0603270R5% 060327K5% 0603330R5% 。
03P4J-T2-AZ 03P4M-T-AZ 03P5J-T1 03P6MG-AZ 040201AB160PF5V 。
BYJ337 BYN3324 BYG3333 BYN3330 BYS3312 。
024N06N 028N08N 02CZ10 02DZ24-Y(TPH3 02DZ24-Y(TPH3,F) 。
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至t3時刻,MOSFET的DS電壓降至飽和導通時的電壓,Millier效應影響變小，Cgd 電容變小并和Cgs 電容一起由外部驅動電壓充電, Cgs 電容的電壓上升,至t4時刻為止.此時C gs 電容電壓已達穩態,DS間電壓也達最小，MOSFET完全開啟。
t0-t1：C GS1 開始充電，柵極電壓還沒有到達V GS（th），導電溝道沒有形成，MOSFET仍處于關閉狀態。
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