這要從MOS的工藝和結構說起，不管是MOS還是二極管，都是由半導體材料構成，我們都知道二極管是由一對PN結構成，見下圖，P型區對應二極管的陽極，N型區對應二極管的負極。
MOS管的導通與截止由柵源電壓來控制，對于增強型MOS管來說，N溝道的管子加正向電壓即導通，P溝道的管子則加反向電壓。
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072N15N
04021.5K5% 04021.6K1% 04021.8K5% 040210K1% 0402200K5% 。
FDS6990-NL HAT2092R HAT2092RJ IRF8313TRPBF MDS5601URH 。
040N06N 042N03L 042N03MS 043N03MS 045N10N 。
AO4832 AO4838 CEM3138 DMG4800LSD-13 EMB17A03G FDS6982-NL 。
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1.5KE13CA-E3/73
03P4J-T2-AZ 03P4M-T-AZ 03P5J-T1 03P6MG-AZ 040201AB160PF5V 。
BYP336 BYT337 BYS334 BYS345 BYP346 。
0402220K5% 040222R5% 040225.5K1% 0402270R5% 04022K5% 。
BYP32028 BYS32010 BYJ32027A BYH326 BYH323 。
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NCE25TD135LP NCE1608N NCE18ND11U NCE3134 NCE20ND07U 。
至t3時刻,MOSFET的DS電壓降至飽和導通時的電壓,Millier效應影響變小，Cgd 電容變小并和Cgs 電容一起由外部驅動電壓充電, Cgs 電容的電壓上升,至t4時刻為止.此時C gs 電容電壓已達穩態,DS間電壓也達最小，MOSFET完全開啟。
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