TAJB335M025RNJ_TAJB335M025RNJ導讀

IGBT的電路符號至今并未統一，畫原理圖時一般是借用三極管、MOS管的符號，這時可以從原理圖上標注的型號來判斷是IGBT還是MOS管。

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TAJB684M035RNJ

MOSFET具有輸入阻抗高、開關速度快、熱穩定性好、電壓控制電流等特性，在電路中，可以用作放大器、電子開關等用途。 2）、防止MOS管的源極和漏極反接時燒壞MOS管，也可以在電路有反向感生電壓時，為反向感生電壓提供通路，避免反向感生電壓擊穿MOS管。關于寄生二極管的作用，有兩種解釋： 1）、MOSFET的寄生二極管，作用是防止VDD過壓的情況下，燒壞MOS管，因為在過壓對MOS管造成破壞之前，二極管先反向擊穿，將大電流直接到地，從而避免MOS管被燒壞。

STC5NF20V STG8205 STG8810 STN8205AAST8RG TM8205FC 。

FDS6990-NL HAT2092R HAT2092RJ IRF8313TRPBF MDS5601URH 。

IGBT的理想等效電路如下圖所示，IGBT實際就是MOSFET和晶體管三極管的組合，MOSFET存在導通電阻高的缺點，但IGBT克服了這一缺點，在高壓時IGBT仍具有較低的導通電阻。 IGBT是通過在MOSFET的漏極上追加層而構成的。另外，相似功率容量的IGBT和MOSFET，IGBT的速度可能會慢于MOSFET，因為IGBT存在關斷拖尾時間，由于IGBT關斷拖尾時間長，死區時間也要加長，從而會影響開關頻率。MOS管和IGBT的結構特點 MOS管和IGBT管的內部結構如下圖所示。

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TAJB224K050RNJ

BYH343 BYM3411 BYP342 BYS342 BYM345 。

BYJ337 BYN3324 BYG3333 BYN3330 BYS3312 。

049N03MS 04N50C3 04N60C2 04N80C3 04-OC-TLAS03 。

TAJA155M035RNJ TAJA156K004RNJ TAJA156K006RNJ TAJA156K010RNJ TAJA156K016RNJ TAJA156M004RNJ TAJA156M006RNJ TAJA156M010RNJ TAJA156M016RNJ TAJA224K035RNJ 。

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NCE30TD120UT NCE40TD120UT NCE40TD120VT NCE30TD120BP NCE25TD120BT 。

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