TAJB335M035RNJ_TAJB335M035RNJ導讀

小功率mos是平面型結構。而電動車上上用的功率mos是立體結構。我們所見的mos管，其實內部由成千上萬個小mos管并聯而成，大家可能會想成千上萬個小mos應該很容易出現一個或幾個壞的吧，其實真沒那么容易，目前的制造工藝基本保證了這些小單位各種參數高度一致性。

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TLJW157M010R0200

060310R5% 060312K5% 060315K1% 060315K5% 0603180K5% 。

TAJA225M010RNJ TAJA225M016RNJ TAJA225M020RNJ TAJA225M025RNJ TAJA225M035RNJ TAJA226K004RNJ TAJA226K006RNJ TAJA226K010RNJ TAJA226M004RNJ TAJA226M006RNJ 。

IGBT的理想等效電路如下圖所示，IGBT實際就是MOSFET和晶體管三極管的組合，MOSFET存在導通電阻高的缺點，但IGBT克服了這一缺點，在高壓時IGBT仍具有較低的導通電阻。 IGBT是通過在MOSFET的漏極上追加層而構成的。另外，相似功率容量的IGBT和MOSFET，IGBT的速度可能會慢于MOSFET，因為IGBT存在關斷拖尾時間，由于IGBT關斷拖尾時間長，死區時間也要加長，從而會影響開關頻率。MOS管和IGBT的結構特點 MOS管和IGBT管的內部結構如下圖所示。

BYP35066A BYP35014A BYF35526A BYP36078A BYI362 。

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TLJY687M006R0150

0402220K5% 040222R5% 040225.5K1% 0402270R5% 04022K5% 。

040251K1% 040251R5% 040268K1% 04028.2K5% 0402E4872BITS 。

0603180R5% 06031M5% 06032.2K5% 0603220R5% 060322K5% 。

BYP342-X BYJ3411 BYH3413 BYH345 BYJ345 。

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使晶體管只工作在1和3狀態的電路稱之為開關電路，一般以晶體管截止，集電極不吸收電流表示關；以晶體管飽和，發射極和集電極之間的電壓差接近于0V時表示開。

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