TAJC225M050RNJ_TAJC225M050RNJ導讀

代表符號中的箭頭方向表示由P(襯底)指向N(溝道)。MOS管的源極和襯底通常是接在一起的(大多數管子在出廠前已連接好)。圖(a)、(b)分別是它的結構示意圖和代表符號。在襯底上也引出一個電極B，這就構成了一個N溝道增強型MOS管。它的柵極與其它電極間是絕緣的。

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TAJD336K010RNJ

TAJA225M010RNJ TAJA225M016RNJ TAJA225M020RNJ TAJA225M025RNJ TAJA225M035RNJ TAJA226K004RNJ TAJA226K006RNJ TAJA226K010RNJ TAJA226M004RNJ TAJA226M006RNJ 。

FDS6990-NL HAT2092R HAT2092RJ IRF8313TRPBF MDS5601URH 。

TPC8223-H UPA2750GR 4936 9936 4228GM 。

對于P型MOS管，若S的電壓比G處高（G、S間存在壓差，具體電平看具體MOS管 ），D、S之間就會導通（電壓方向S指向D），此時D、S間相當于一個很小的電阻，若G、S之間為低（具體電平看具體MOS管 ），D、S之間就會截止 ，此時D、S間相當于一個很大的電阻，電流就無法流過。

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TAJD475K035RNJ

BYH343 BYM3411 BYP342 BYS342 BYM345 。

BYP32028 BYS32010 BYJ32027A BYH326 BYH323 。

051N15N5MOS 052N06L 053P04-518 054NE8N 057N06N 。

060322R5% 0603270K5% 0603270R5% 060327K5% 0603330R5% 。

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MOSFET應用于開關電源、鎮流器、高頻感應加熱、高頻逆變焊機、通信電源等等高頻電源領域；IGBT集中應用于焊機、逆變器、變頻器、電鍍電解電源、超音頻感應加熱等領域。

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