TAJC226M010RNJ_TAJC226M010RNJ導讀

除了上述適用于電動車控制器的NCE80H12以外，還提供風華阻容感，長晶二三極管MOS管，愛普生有源無源晶振等。

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TAJA106K004RNJ

057N08N 057N08NS 05852- 06000,, 06031.5K5% 。

IGBT是通過在MOSFET的漏極上追加層而構成的。另外，相似功率容量的IGBT和MOSFET，IGBT的速度可能會慢于MOSFET，因為IGBT存在關斷拖尾時間，由于IGBT關斷拖尾時間長，死區時間也要加長，從而會影響開關頻率。 IGBT的理想等效電路如下圖所示，IGBT實際就是MOSFET和晶體管三極管的組合，MOSFET存在導通電阻高的缺點，但IGBT克服了這一缺點，在高壓時IGBT仍具有較低的導通電阻。MOS管和IGBT的結構特點 MOS管和IGBT管的內部結構如下圖所示。

060310R5% 060312K5% 060315K1% 060315K5% 0603180K5% 。

TAJA226M010RNJ TAJA226M016RNJ TAJA334K035RNJ TAJA334K050RNJ TAJA334M035RNJ TAJA334M050RNJ TAJA335K006RNJ TAJA335K010RNJ TAJA335K016RNJ TAJA335K020RNJ 。

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TAJB335M035RNJ

BYP32028 BYS32010 BYJ32027A BYH326 BYH323 。

BYM3312 BYM3312-X BYF333 BYP332 BYS332 。

PMOS門電路與NMOS電路的原理完全相同，只是電源極性相反而已。MOS集成電路包括: NMOS管組成的NMOS電路、PMOS管組成的PMOS電路及由NMOS和PMOS兩種管子組成的互補MOS電路，即CMOS電路。

BYI3245 BYN3226 BYN3232 BYS326 BYD32515Z 。

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總的來說，MOSFET優點是高頻特性好，可以工作頻率可以達到幾百kHz、上MHz，缺點是導通電阻大在高壓大電流場合功耗較大；而IGBT在低頻及較大功率場合下表現卓越，其導通電阻小，耐壓高。

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