TAJC226M020RNJ_TAJC226M020RNJ導讀

由p型襯底和兩個高濃度n擴散區構成的MOS管叫作n溝道MOS管，該管導通時在兩個高濃度n擴散區間形成n型導電溝道。n溝道增強型MOS管必須在柵極上施加正向偏壓，且只有柵源電壓大于閾值電壓時才有導電溝道產生的n溝道MOS管。n溝道耗盡型MOS管是指在不加柵壓（柵源電壓為零）時，就有導電溝道產生的n溝道MOS管。

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TAJV477K010RNJ

060310R5% 060312K5% 060315K1% 060315K5% 0603180K5% 。

057N08N 057N08NS 05852- 06000,, 06031.5K5% 。

040N06N 042N03L 042N03MS 043N03MS 045N10N 。

TPC8223-H UPA2750GR 4936 9936 4228GM 。

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TAJB107K004RNJ

BYM3312 BYM3312-X BYF333 BYP332 BYS332 。

BYI3245 BYN3226 BYN3232 BYS326 BYD32515Z 。

BYP336 BYT337 BYS334 BYS345 BYP346 。

BYP342-X BYJ3411 BYH3413 BYH345 BYJ345 。

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總的來說，MOSFET優點是高頻特性好，可以工作頻率可以達到幾百kHz、上MHz，缺點是導通電阻大在高壓大電流場合功耗較大；而IGBT在低頻及較大功率場合下表現卓越，其導通電阻小，耐壓高。

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