TAJC226M006RNJ_TAJC226M006RNJ導讀

N溝道增強型MOS管的結構在一塊摻雜濃度較低的P型硅襯底上，制作兩個高摻雜濃度的N+區，并用金屬鋁引出兩個電極，分別作漏極d和源極s。然后在半導體表面覆蓋一層很薄的二氧化硅(SiO2)絕緣層，在漏——源極間的絕緣層上再裝上一個鋁電極,作為柵極g。

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TAJC475M025RNJ

TAJA225M010RNJ TAJA225M016RNJ TAJA225M020RNJ TAJA225M025RNJ TAJA225M035RNJ TAJA226K004RNJ TAJA226K006RNJ TAJA226K010RNJ TAJA226M004RNJ TAJA226M006RNJ 。

060310R5% 060312K5% 060315K1% 060315K5% 0603180K5% 。

FDS6990-NL HAT2092R HAT2092RJ IRF8313TRPBF MDS5601URH 。

057N08N 057N08NS 05852- 06000,, 06031.5K5% 。

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TAJE157M016RNJ

先講講MOS/CMOS集成電路 MOS集成電路特點：制造工藝比較簡單、成品率較高、功耗低、組成的邏輯電路比較簡單，集成度高、抗干擾能力強，特別適合于大規模集成電路。

BYH343 BYM3411 BYP342 BYS342 BYM345 。

BYP336 BYT337 BYS334 BYS345 BYP346 。

BYP342-X BYJ3411 BYH3413 BYH345 BYJ345 。

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NCE2302D NCE2302F NCE1012E NCE2302B NCE2302 。

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