TAJD106K050RNJ_TAJD106K050RNJ導讀

N溝道增強型MOS管的結構在一塊摻雜濃度較低的P型硅襯底上，制作兩個高摻雜濃度的N+區，并用金屬鋁引出兩個電極，分別作漏極d和源極s。然后在半導體表面覆蓋一層很薄的二氧化硅(SiO2)絕緣層，在漏——源極間的絕緣層上再裝上一個鋁電極,作為柵極g。

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TAJA154M050RNJ

對于P型MOS管，若S的電壓比G處高（G、S間存在壓差，具體電平看具體MOS管 ），D、S之間就會導通（電壓方向S指向D），此時D、S間相當于一個很小的電阻，若G、S之間為低（具體電平看具體MOS管 ），D、S之間就會截止 ，此時D、S間相當于一個很大的電阻，電流就無法流過。

TAJA225M010RNJ TAJA225M016RNJ TAJA225M020RNJ TAJA225M025RNJ TAJA225M035RNJ TAJA226K004RNJ TAJA226K006RNJ TAJA226K010RNJ TAJA226M004RNJ TAJA226M006RNJ 。

TAJA226M010RNJ TAJA226M016RNJ TAJA334K035RNJ TAJA334K050RNJ TAJA334M035RNJ TAJA334M050RNJ TAJA335K006RNJ TAJA335K010RNJ TAJA335K016RNJ TAJA335K020RNJ 。

06031.8M5% 0603100K5% 0603100R5% 060310K1% 060310K5% 。

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TAJA226K004RNJ

060322R5% 0603270K5% 0603270R5% 060327K5% 0603330R5% 。

BYH343 BYM3411 BYP342 BYS342 BYM345 。

先講講MOS/CMOS集成電路 MOS集成電路特點：制造工藝比較簡單、成品率較高、功耗低、組成的邏輯電路比較簡單，集成度高、抗干擾能力強，特別適合于大規模集成電路。

BYP32028 BYS32010 BYJ32027A BYH326 BYH323 。

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NCE25TD135LP NCE1608N NCE18ND11U NCE3134 NCE20ND07U 。

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