TAJD337K010RNJ_TAJD337K010RNJ導讀

除了上述適用于電動車控制器的NCE80H12以外，還提供風華阻容感，長晶二三極管MOS管，愛普生有源無源晶振等。

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TAJA334K050RNJ

IGBT的理想等效電路如下圖所示，IGBT實際就是MOSFET和晶體管三極管的組合，MOSFET存在導通電阻高的缺點，但IGBT克服了這一缺點，在高壓時IGBT仍具有較低的導通電阻。 IGBT是通過在MOSFET的漏極上追加層而構成的。MOS管和IGBT的結構特點 MOS管和IGBT管的內部結構如下圖所示。另外，相似功率容量的IGBT和MOSFET，IGBT的速度可能會慢于MOSFET，因為IGBT存在關斷拖尾時間，由于IGBT關斷拖尾時間長，死區時間也要加長，從而會影響開關頻率。

040N06N 042N03L 042N03MS 043N03MS 045N10N 。

06031.8M5% 0603100K5% 0603100R5% 060310K1% 060310K5% 。

057N08N 057N08NS 05852- 06000,, 06031.5K5% 。

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TAJD477M002RNJ

060322R5% 0603270K5% 0603270R5% 060327K5% 0603330R5% 。

BYH343 BYM3411 BYP342 BYS342 BYM345 。

P溝道的源極S接輸入，漏極D導通輸出，N溝道相反說白了給箭頭方向相反的電流就是導通，方向相同就是截止。

BYP32028 BYS32010 BYJ32027A BYH326 BYH323 。

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使晶體管只工作在1和3狀態的電路稱之為開關電路，一般以晶體管截止，集電極不吸收電流表示關；以晶體管飽和，發射極和集電極之間的電壓差接近于0V時表示開。

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