TAJD337K006RNJ_TAJD337K006RNJ導讀

這個內阻大小基本決定了MOS管芯片能承受得多大導通電流（當然和其它因素有關，如熱阻）。這個電流通路的電阻被稱為MOS管內阻，也就是導通電阻。內阻越小承受電流越大（因為發熱小）。

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TLJR226M010R3800

TAJA226M010RNJ TAJA226M016RNJ TAJA334K035RNJ TAJA334K050RNJ TAJA334M035RNJ TAJA334M050RNJ TAJA335K006RNJ TAJA335K010RNJ TAJA335K016RNJ TAJA335K020RNJ 。

040N06N 042N03L 042N03MS 043N03MS 045N10N 。

IGBT的理想等效電路如下圖所示，IGBT實際就是MOSFET和晶體管三極管的組合，MOSFET存在導通電阻高的缺點，但IGBT克服了這一缺點，在高壓時IGBT仍具有較低的導通電阻。 IGBT是通過在MOSFET的漏極上追加層而構成的。MOS管和IGBT的結構特點 MOS管和IGBT管的內部結構如下圖所示。另外，相似功率容量的IGBT和MOSFET，IGBT的速度可能會慢于MOSFET，因為IGBT存在關斷拖尾時間，由于IGBT關斷拖尾時間長，死區時間也要加長，從而會影響開關頻率。

057N08N 057N08NS 05852- 06000,, 06031.5K5% 。

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TAJE108K002RNJ

BYP342-X BYJ3411 BYH3413 BYH345 BYJ345 。

051N15N5MOS 052N06L 053P04-518 054NE8N 057N06N 。

BYP32028 BYS32010 BYJ32027A BYH326 BYH323 。

先講講MOS/CMOS集成電路 MOS集成電路特點：制造工藝比較簡單、成品率較高、功耗低、組成的邏輯電路比較簡單，集成度高、抗干擾能力強，特別適合于大規模集成電路。

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MOSFET應用于開關電源、鎮流器、高頻感應加熱、高頻逆變焊機、通信電源等等高頻電源領域；IGBT集中應用于焊機、逆變器、變頻器、電鍍電解電源、超音頻感應加熱等領域。

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