TAJD336K035RNJ_TAJD336K035RNJ導讀

圖(a)、(b)分別是它的結構示意圖和代表符號。代表符號中的箭頭方向表示由P(襯底)指向N(溝道)。在襯底上也引出一個電極B，這就構成了一個N溝道增強型MOS管。它的柵極與其它電極間是絕緣的。MOS管的源極和襯底通常是接在一起的(大多數管子在出廠前已連接好)。

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TAJV158M002RNJ

TPCS8205 TPCS8212 TSM6866SDCA RV UPA1852GR-9JG-A UT8205A 。

STC5NF20V STG8205 STG8810 STN8205AAST8RG TM8205FC 。

057N08N 057N08NS 05852- 06000,, 06031.5K5% 。

有的MOSFET內部會有個二極管，這是體二極管，或者叫寄生二極管、續流二極管。

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TAJD106K035RNJ

BYP336 BYT337 BYS334 BYS345 BYP346 。

BYH343 BYM3411 BYP342 BYS342 BYM345 。

P溝道的源極S接輸入，漏極D導通輸出，N溝道相反說白了給箭頭方向相反的電流就是導通，方向相同就是截止。

0603180R5% 06031M5% 06032.2K5% 0603220R5% 060322K5% 。

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總的來說，MOSFET優點是高頻特性好，可以工作頻率可以達到幾百kHz、上MHz，缺點是導通電阻大在高壓大電流場合功耗較大；而IGBT在低頻及較大功率場合下表現卓越，其導通電阻小，耐壓高。

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