TAJD336M035RNJ_TAJD336M035RNJ導讀

N溝道增強型MOS管的結構在一塊摻雜濃度較低的P型硅襯底上，制作兩個高摻雜濃度的N+區，并用金屬鋁引出兩個電極，分別作漏極d和源極s。然后在半導體表面覆蓋一層很薄的二氧化硅(SiO2)絕緣層，在漏——源極間的絕緣層上再裝上一個鋁電極,作為柵極g。

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TAJA226K004RNJ

TAJA226M010RNJ TAJA226M016RNJ TAJA334K035RNJ TAJA334K050RNJ TAJA334M035RNJ TAJA334M050RNJ TAJA335K006RNJ TAJA335K010RNJ TAJA335K016RNJ TAJA335K020RNJ 。

TPCS8205 TPCS8212 TSM6866SDCA RV UPA1852GR-9JG-A UT8205A 。

SP8K4-TB SPN4972S8RG SQ4282EY-T1-GE3 STN4972 STS8DN3LLH5 。

有的MOSFET內部會有個二極管，這是體二極管，或者叫寄生二極管、續流二極管。

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TAJD336M025RNJ

BYJ337 BYN3324 BYG3333 BYN3330 BYS3312 。

BYI3245 BYN3226 BYN3232 BYS326 BYD32515Z 。

P溝道的源極S接輸入，漏極D導通輸出，N溝道相反說白了給箭頭方向相反的電流就是導通，方向相同就是截止。

那么和G相連的GPIO高電平要2.8-0.4=2.4V以上，才能使mos管關斷，低電平使mos管導通。如果控制G的GPIO的電壓區域為1.8V，那么GPIO高電平的時候為1.8V，GS為1.8-2.8=-1V，mos管導通，不能夠關斷。這種情況下GPIO就不能夠控制mos管的導通和關閉。 GPIO為低電平的時候，假如0.1V，那么GS為0.1-2.8=-2.7V,mos管導通。

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NCE2302D NCE2302F NCE1012E NCE2302B NCE2302 。

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