TAJC684K050RNJ_TAJC684K050RNJ導讀

所以管子的穩定性和制造工藝密不可分，差的工藝可能導致這些小管的參數不那么一致。它們的各種開關動作幾乎是一致，當然燒壞時，肯定有先承受不了的小管先壞。

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TAJD106K035RNJ

AO4832 AO4838 CEM3138 DMG4800LSD-13 EMB17A03G FDS6982-NL 。

057N08N 057N08NS 05852- 06000,, 06031.5K5% 。

STC5NF20V STG8205 STG8810 STN8205AAST8RG TM8205FC 。

060310R5% 060312K5% 060315K1% 060315K5% 0603180K5% 。

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TAJE107K010RNJ

先講講MOS/CMOS集成電路 MOS集成電路特點：制造工藝比較簡單、成品率較高、功耗低、組成的邏輯電路比較簡單，集成度高、抗干擾能力強，特別適合于大規模集成電路。

BYP336 BYT337 BYS334 BYS345 BYP346 。

BYM3312 BYM3312-X BYF333 BYP332 BYS332 。

那么和G相連的GPIO高電平要2.8-0.4=2.4V以上，才能使mos管關斷，低電平使mos管導通。如果控制G的GPIO的電壓區域為1.8V，那么GPIO高電平的時候為1.8V，GS為1.8-2.8=-1V，mos管導通，不能夠關斷。這種情況下GPIO就不能夠控制mos管的導通和關閉。 GPIO為低電平的時候，假如0.1V，那么GS為0.1-2.8=-2.7V,mos管導通。

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總的來說，MOSFET優點是高頻特性好，可以工作頻率可以達到幾百kHz、上MHz，缺點是導通電阻大在高壓大電流場合功耗較大；而IGBT在低頻及較大功率場合下表現卓越，其導通電阻小，耐壓高。

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