TAJC477M004RNJ_TAJC477M004RNJ導讀
在圖1我們看到D極和S極之間存在著一個二極管,這個二極管叫寄生二極管。小功率MOS管例如集成芯片中的MOS管是平面結構,漏極引出方向是從硅片的上面也就是與源極等同一方向,沒有這個二極管。在網上查了一番資料才知道,它是由生產工藝造成的,大功率MOS管漏極從硅片底部引出,就會有這個寄生二極管。MOS的寄生二極管怎么來的呢?翻開大學里的模擬電路書里面并沒有寄生二極管的介紹。
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TAJC684K050RNJ
TPC8223-H UPA2750GR 4936 9936 4228GM 。
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060310R5% 060312K5% 060315K1% 060315K5% 0603180K5% 。
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TLJN476M006R8300
那么和G相連的GPIO高電平要2.8-0.4=2.4V以上,才能使mos管關斷,低電平使mos管導通。如果控制G的GPIO的電壓區域為1.8V,那么GPIO高電平的時候為1.8V,GS為1.8-2.8=-1V,mos管導通,不能夠關斷。這種情況下GPIO就不能夠控制mos管的導通和關閉。 GPIO為低電平的時候,假如0.1V,那么GS為0.1-2.8=-2.7V,mos管導通。
MOS集成電路包括: NMOS管組成的NMOS電路、PMOS管組成的PMOS電路及由NMOS和PMOS兩種管子組成的互補MOS電路,即CMOS電路。 PMOS門電路與NMOS電路的原理完全相同,只是電源極性相反而已。
BYH343 BYM3411 BYP342 BYS342 BYM345 。
先講講MOS/CMOS集成電路 MOS集成電路特點:制造工藝比較簡單、成品率較高、功耗低、組成的邏輯電路比較簡單,集成度高、抗干擾能力強,特別適合于大規模集成電路。
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NCE25TD135LP NCE1608N NCE18ND11U NCE3134 NCE20ND07U 。
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