TAJC476M006RNJ_TAJC476M006RNJ導讀

除了上述適用于電動車控制器的NCE80H12以外，還提供風華阻容感，長晶二三極管MOS管，愛普生有源無源晶振等。

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TLJA157M004R0800

TAJA226M010RNJ TAJA226M016RNJ TAJA334K035RNJ TAJA334K050RNJ TAJA334M035RNJ TAJA334M050RNJ TAJA335K006RNJ TAJA335K010RNJ TAJA335K016RNJ TAJA335K020RNJ 。

有的MOSFET內部會有個二極管，這是體二極管，或者叫寄生二極管、續流二極管。

060310R5% 060312K5% 060315K1% 060315K5% 0603180K5% 。

IGBT的理想等效電路如下圖所示，IGBT實際就是MOSFET和晶體管三極管的組合，MOSFET存在導通電阻高的缺點，但IGBT克服了這一缺點，在高壓時IGBT仍具有較低的導通電阻。 IGBT是通過在MOSFET的漏極上追加層而構成的。MOS管和IGBT的結構特點 MOS管和IGBT管的內部結構如下圖所示。另外，相似功率容量的IGBT和MOSFET，IGBT的速度可能會慢于MOSFET，因為IGBT存在關斷拖尾時間，由于IGBT關斷拖尾時間長，死區時間也要加長，從而會影響開關頻率。

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TAJC157K006RNJ

BYJ337 BYN3324 BYG3333 BYN3330 BYS3312 。

BYH343 BYM3411 BYP342 BYS342 BYM345 。

BYI3245 BYN3226 BYN3232 BYS326 BYD32515Z 。

1、P溝道mos管作為開關，柵源的閥值為-0.4V，當柵源的電壓差為-0.4V就會使DS導通，如果S為2.8V，G為1.8V，那么GS=-1V，mos管導通，D為2.8V 如果S為2.8V，G為2.8V，VGSw 那么mos管不導通，D為0V，所以，如果2.8V連接到S，要mos管導通為系統供電，系統連接到D，利用G控制。

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NCE30TD120UT NCE40TD120UT NCE40TD120VT NCE30TD120BP NCE25TD120BT 。

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