TAJC685K016RNJ_TAJC685K016RNJ導讀

1）、MOSFET的寄生二極管，作用是防止VDD過壓的情況下，燒壞MOS管，因為在過壓對MOS管造成破壞之前，二極管先反向擊穿，將大電流直接到地，從而避免MOS管被燒壞。 MOSFET具有輸入阻抗高、開關速度快、熱穩定性好、電壓控制電流等特性，在電路中，可以用作放大器、電子開關等用途。。 2）、防止MOS管的源極和漏極反接時燒壞MOS管，也可以在電路有反向感生電壓時，為反向感生電壓提供通路，避免反向感生電壓擊穿MOS管。

TAJC685K016RNJ_TAJC685K016RNJ" src="http://member.51dzw.com/CompanyFile/202107/2021071011340566566.jpg" />

TAJD227M004RNJ

AO4832 AO4838 CEM3138 DMG4800LSD-13 EMB17A03G FDS6982-NL 。

06031.8M5% 0603100K5% 0603100R5% 060310K1% 060310K5% 。

TAJA226M010RNJ TAJA226M016RNJ TAJA334K035RNJ TAJA334K050RNJ TAJA334M035RNJ TAJA334M050RNJ TAJA335K006RNJ TAJA335K010RNJ TAJA335K016RNJ TAJA335K020RNJ 。

TPC8223-H UPA2750GR 4936 9936 4228GM 。

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TAJE226K035RNJ

BYJ337 BYN3324 BYG3333 BYN3330 BYS3312 。

先講講MOS/CMOS集成電路 MOS集成電路特點：制造工藝比較簡單、成品率較高、功耗低、組成的邏輯電路比較簡單，集成度高、抗干擾能力強，特別適合于大規模集成電路。

BYH343 BYM3411 BYP342 BYS342 BYM345 。

P溝道的源極S接輸入，漏極D導通輸出，N溝道相反說白了給箭頭方向相反的電流就是導通，方向相同就是截止。

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t0-t1：C GS1 開始充電，柵極電壓還沒有到達V GS（th），導電溝道沒有形成，MOSFET仍處于關閉狀態。

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