TAJD687K002RNJ_TAJD687K002RNJ導讀

N溝道增強型MOS管的結構在一塊摻雜濃度較低的P型硅襯底上，制作兩個高摻雜濃度的N+區，并用金屬鋁引出兩個電極，分別作漏極d和源極s。然后在半導體表面覆蓋一層很薄的二氧化硅(SiO2)絕緣層，在漏——源極間的絕緣層上再裝上一個鋁電極,作為柵極g。

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TAJV687K006RNJ

TPC8223-H UPA2750GR 4936 9936 4228GM 。

FDS6990-NL HAT2092R HAT2092RJ IRF8313TRPBF MDS5601URH 。

AO4832 AO4838 CEM3138 DMG4800LSD-13 EMB17A03G FDS6982-NL 。

有的MOSFET內部會有個二極管，這是體二極管，或者叫寄生二極管、續流二極管。

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TAJC225M035RNJ

060322R5% 0603270K5% 0603270R5% 060327K5% 0603330R5% 。

BYH343 BYM3411 BYP342 BYS342 BYM345 。

BYI3245 BYN3226 BYN3232 BYS326 BYD32515Z 。

BYJ337 BYN3324 BYG3333 BYN3330 BYS3312 。

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開關只有兩種狀態通和斷，三極管和MOS管工作有三種狀態，1、截止，2、線性放大，3、飽和（基極電流繼續增加而集電極電流不再增加）。

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