TAJD687K006RNJ_TAJD687K006RNJ導讀

上面就是功率mos管NCE80H12的規格書，我們電動車控制器上用的功率mos管NCE80H12其實和平常cmos集成電路中的小功率mos結構是不一樣的。

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TAJC106M025RNJ

IGBT的理想等效電路如下圖所示，IGBT實際就是MOSFET和晶體管三極管的組合，MOSFET存在導通電阻高的缺點，但IGBT克服了這一缺點，在高壓時IGBT仍具有較低的導通電阻。 IGBT是通過在MOSFET的漏極上追加層而構成的。MOS管和IGBT的結構特點 MOS管和IGBT管的內部結構如下圖所示。另外，相似功率容量的IGBT和MOSFET，IGBT的速度可能會慢于MOSFET，因為IGBT存在關斷拖尾時間，由于IGBT關斷拖尾時間長，死區時間也要加長，從而會影響開關頻率。

BYP35066A BYP35014A BYF35526A BYP36078A BYI362 。

但D極和襯底之間都存在寄生二極管，如果是單個晶體管，襯底當然接S極，因此自然在DS之間有二極管。那么寄生二極管起什么作用呢?當電路中產生很大的瞬間反向電流時，可以通過這個二極管導出來，不至于擊穿這個MOS管。(起到保護MOS管的作用)。模擬電路書里講得就是小功率MOS管的結構，所以沒有這個二極管。如果在IC里面，N—MOS襯底接最低的電壓，P—MOS襯底接最高電壓，不一定和S極相連，所以DS之間不一定有寄生二極管。

有的MOSFET內部會有個二極管，這是體二極管，或者叫寄生二極管、續流二極管。

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TAJB685K020RNJ

051N15N5MOS 052N06L 053P04-518 054NE8N 057N06N 。

P溝道的源極S接輸入，漏極D導通輸出，N溝道相反說白了給箭頭方向相反的電流就是導通，方向相同就是截止。

BYP336 BYT337 BYS334 BYS345 BYP346 。

當G端為低電平的時候，D、S間無法導通，電機也就無法運行。。N型MOS管應用的場景更多，相比于比P型MOS管，其優點如下 1、開關速度更快 2、耐壓更高 3、通過的電流更大下面是N型MOS管的一個簡單的引用電路，當G端通入高電平，MOS管D、S間導通，此時MOS管導通，電機的電流得以通過，電機轉動。

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至t3時刻,MOSFET的DS電壓降至飽和導通時的電壓,Millier效應影響變小，Cgd 電容變小并和Cgs 電容一起由外部驅動電壓充電, Cgs 電容的電壓上升,至t4時刻為止.此時C gs 電容電壓已達穩態,DS間電壓也達最小，MOSFET完全開啟。

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