TLJN476M004R4000_TLJN476M004R4000導讀

。Q3和Q4用來提供驅動電流，由于導通的時候，Q3和Q4相對Vh和GND最低都只有一個Vce的壓降，這個壓降通常只有0.3V左右，大大低于0.7V的Vce。

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TLJA107M006R0800

STC5NF20V STG8205 STG8810 STN8205AAST8RG TM8205FC 。

040N06N 042N03L 042N03MS 043N03MS 045N10N 。

060310R5% 060312K5% 060315K1% 060315K5% 0603180K5% 。

AO4832 AO4838 CEM3138 DMG4800LSD-13 EMB17A03G FDS6982-NL 。

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TAJC476M020RNJ

BYI3245 BYN3226 BYN3232 BYS326 BYD32515Z 。

。這種晶體管稱為金屬氧化物半導體 (MOS) 晶體管，或金屬氧化物半導體場效應管 (MOSFET) 。因為MOS管更小更省電，所以他們已經在很多應用場合取代了雙極型晶體管。

0603180R5% 06031M5% 06032.2K5% 0603220R5% 060322K5% 。

BYP32028 BYS32010 BYJ32027A BYH326 BYH323 。

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NCE25TD135LP NCE1608N NCE18ND11U NCE3134 NCE20ND07U 。

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