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TLJR686M004R2900

發布時間:2022/6/7 22:01:00 訪問次數:67 發布企業:深圳市百域芯科技有限公司

TLJR686M004R2900_TLJR686M004R2900導讀

這個內阻大小基本決定了MOS管芯片能承受得多大導通電流(當然和其它因素有關,如熱阻)。內阻越小承受電流越大(因為發熱小)。這個電流通路的電阻被稱為MOS管內阻,也就是導通電阻。


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TAJD477K004RNJ

BYP35066A BYP35014A BYF35526A BYP36078A BYI362 。

060310R5% 060312K5% 060315K1% 060315K5% 0603180K5% 。

TPC8223-H UPA2750GR 4936 9936 4228GM 。

SP8K4-TB SPN4972S8RG SQ4282EY-T1-GE3 STN4972 STS8DN3LLH5 。


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TAJC475M025RNJ

BYP342-X BYJ3411 BYH3413 BYH345 BYJ345 。

BYH343 BYM3411 BYP342 BYS342 BYM345 。

BYI3245 BYN3226 BYN3232 BYS326 BYD32515Z 。

BYJ337 BYN3324 BYG3333 BYN3330 BYS3312 。

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MOSFET應用于開關電源、鎮流器、高頻感應加熱、高頻逆變焊機、通信電源等等高頻電源領域;IGBT集中應用于焊機、逆變器、變頻器、電鍍電解電源、超音頻感應加熱等領域。


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