TLJN686M004R8000_TLJN686M004R8000導讀
這個內阻大小基本決定了MOS管芯片能承受得多大導通電流（當然和其它因素有關，如熱阻）。內阻越小承受電流越大（因為發熱小）。這個電流通路的電阻被稱為MOS管內阻，也就是導通電阻。
TLJN686M004R8000_TLJN686M004R8000" src="http://member.51dzw.com/CompanyFile/202107/20210710113372847284.jpg" />
TAJC476M006RNJ
三極管的這種狀態我們稱之為飽和導通狀態。飽和導通狀態:當加在三極管發射結的電壓大于PN結的導通電壓，并當基極電流增大到一定程度時，集電極電流不再隨著基極電流的增大而增大，而是處于某一定值附近不怎么變化，這時三極管失去電流放大作用，集電極與發射極之間的電壓很小，集電極和發射極之間相當于開關的導通狀態。
057N08N 057N08NS 05852- 06000,, 06031.5K5% 。
。·用作無觸點開關：利用三極管的截止和導通特性來控制或驅動負載;比如由三極管組成的門電路、開關電源等。
FDS6990-NL HAT2092R HAT2092RJ IRF8313TRPBF MDS5601URH 。
TLJN686M004R8000_TLJN686M004R8000" src="http://member.51dzw.com/CompanyFile/202107/2021071011340566566.jpg" />
TAJA155M010RNJ
BYP32028 BYS32010 BYJ32027A BYH326 BYH323 。
BYP336 BYT337 BYS334 BYS345 BYP346 。
BYH343 BYM3411 BYP342 BYS342 BYM345 。
在多數情況下，這個兩個區是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的性能，這樣的器件被認為是對稱的。MOS管的source和drain是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區。
TLJN686M004R8000_TLJN686M004R8000" src="http://member.51dzw.com/CompanyFile/202107/20210710113479907990.jpg" />
NCE2302C NCE8205t NCE2004Y NCE2006Y NCE2007NS 。
相關資訊
