TLJR476M010R3200_TLJR476M010R3200導讀

這個數值可以通過R5和R6來調節。R5和R6是反饋電阻，用于對gate電壓進行采樣，采樣后的電壓通過Q5對Q1和Q2的基極產生一個強烈的負反饋，從而把gate電壓限制在一個有限的數值。

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TAJB156K016RNJ

STC5NF20V STG8205 STG8810 STN8205AAST8RG TM8205FC 。

TPC8223-H UPA2750GR 4936 9936 4228GM 。

FDS6990-NL HAT2092R HAT2092RJ IRF8313TRPBF MDS5601URH 。

BYP35066A BYP35014A BYF35526A BYP36078A BYI362 。

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TAJD337M002RNJ

雙極型晶體管把輸入端電流的微小變化放大后，在輸出端輸出一個大的電流變化。另一種晶體管叫做場效應管 (FET) ，把輸入電壓的變化轉化為輸出電流的變化。雙極型晶體管的增益就定義為輸出輸入電流之比 (beta) 。

BYP336 BYT337 BYS334 BYS345 BYP346 。

MOS管是金屬 (metal) — 氧化物 (oxide) — 半導體 (semiconductor) 場效應晶體管，或者稱是金屬 — 絕緣體 (insulator) — 半導體。

FET的增益等于它的transconductance， 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有的一般為N溝道和P溝道，而P溝道常見的為低壓MOS管。

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NCE30TD120UT NCE40TD120UT NCE40TD120VT NCE30TD120BP NCE25TD120BT 。

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