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SQJ479EP-T1

發布時間:2022/6/18 10:41:00 訪問次數:137 發布企業:深圳市維基鴻電子有限公司

漏源電壓(Vdss) 80 V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id) 32A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值) 33 毫歐 @ 10A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值) 150 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值) 4500 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 68W(Tc)
工作溫度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝型
供應商器件封裝 PowerPAK® SO-8

MK11DN512AVLK5 NXP 9600 21+
MKV10Z64VLF7 NXP 2500 2122+
MAX6070BAUT25+T 美信 5000 21+
MAX15062BATA+T 美信 5000 22+
LM46000QPWPRQ1 TI 1990 20+
TLV75901PDRVR TI 15000 22+
NDC7001C ON 8950 21+
FDMA510PZ ON 6000 21+
ISP752R 英飛凌 5000 22+
ATMEGA644PA-MUR 微芯 4000 21+
ATSAMD10D14A-MUT 微芯 6000 21+
LD39200PUR ST 6000 21+
SQJ479EP-T1_BE3 威世 3000 21+
TLE9180D-21QK 英飛凌 3800 21+
BSZ0501NSI 英飛凌 10000 22+
BTS5090-1EJA 英飛凌 2500 22+
EN5311QI 阿爾特拉 2000 21+

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