技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 30 V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id) 25A（Ta），40A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值） 2 毫歐 @ 20A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值） 2V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值） 33 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值） 2000 pF @ 15 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2.1W（Ta），50W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝型
供應商器件封裝 PG-TSDSON-8-FL
封裝/外殼 8-PowerTDFN
基本產品編號 BSZ0501
MK11DN512AVLK5 NXP 9600 21+
MKV10Z64VLF7 NXP 2500 2122+
MAX6070BAUT25+T 美信 5000 21+
MAX15062BATA+T 美信 5000 22+
LM46000QPWPRQ1 TI 1990 20+
TLV75901PDRVR TI 15000 22+
NDC7001C ON 8950 21+
FDMA510PZ ON 6000 21+
ISP752R 英飛凌 5000 22+
ATMEGA644PA-MUR 微芯 4000 21+
ATSAMD10D14A-MUT 微芯 6000 21+
LD39200PUR ST 6000 21+
SQJ479EP-T1_BE3 威世 3000 21+
TLE9180D-21QK 英飛凌 3800 21+
BSZ0501NSI 英飛凌 10000 22+
BTS5090-1EJA 英飛凌 2500 22+
EN5311QI 阿爾特拉 2000 21+