SI7461DP-T1-GE3

製造商: Vishay
產品類型: MOSFET
RoHS: 詳細資料
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝/外殼: PowerPAK-SO-8
晶體管極性: P-Channel
通道數: 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 60 V
Id - C連續漏極電流: 14.4 A
Rds On - 漏-源電阻: 14.5 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 1 V
Qg - 閘極充電: 121 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 150 C
Pd - 功率消耗 : 5.4 W
通道模式: Enhancement
公司名稱: TrenchFET
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
品牌: Vishay Semiconductors
配置: Single
下降時間: 90 ns
互導 - 最小值: 31 S
產品類型: MOSFET
上升時間: 20 ns
系列: SI7
3000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 P-Channel
標準斷開延遲時間: 205 ns
標準開啟延遲時間: 20 ns
零件號別名: SI7461DP-GE3
每件重量: 506.600 mg


MCP6L04T-E/ST
REF3012AIDBZR
MT25QU128ABA1EW9-0SIT
RN212-1.2-02-6M8
GD32E232K8Q7TR
BTS5010-1EKB
S29GL064N90TFI040