製造商: Vishay
產品類型: MOSFET
RoHS: 詳細資料
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝/外殼: PowerPAK-SO-8
晶體管極性: N-Channel
通道數: 2 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 30 V
Id - C連續漏極電流: 25 A, 30 A
Rds On - 漏-源電阻: 9.3 mOhms, 5.3 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 1.2 V
Qg - 閘極充電: 26 nC, 48 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 150 C
Pd - 功率消耗 : 22 W, 40 W
通道模式: Enhancement
公司名稱: TrenchFET
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
品牌: Vishay Semiconductors
配置: Dual
下降時間: 10 ns, 13 ns
互導 - 最小值: 45 S, 71 S
產品類型: MOSFET
上升時間: 15 ns, 17 ns
系列: SI7
原廠包裝數量: 3000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 2 N-Channel
標準斷開延遲時間: 22 ns, 35 ns
標準開啟延遲時間: 20 ns, 26 ns
零件號別名: SI7998DP-GE3
每件重量: 506.600 mg
