IPD65R650CEAUMA1

類別
分立半導體產品
晶體管-FET，MOSFET-單個
制造商
InfineonTechnologies
系列
CoolMOSCE
包裝
卷帶（TR）
剪切帶（CT）
產品狀態
在售
FET類型
N通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
650V
25°C時電流-連續漏極(Id)
7A（Tc）
驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）
10V
不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）
650毫歐@2.1A，10V
不同Id時Vgs(th)（最大值）
3.5V@210μA
不同Vgs時柵極電荷(Qg)（最大值）
23nC@10V
Vgs（最大值）
±20V
不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）
440pF@100V
FET功能
-
功率耗散（最大值）
86W（Tc）
工作溫度
-40°C~150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
PG-TO252-3
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2引線+接片），SC-63
基本產品編號
IPD65R650

1SMB5921BT3G 22+
NTJD4401NT1G 22+
1SMA5918BT3G 22+
BTS141BKSA1 21+
IPD060N03LGATMA1 21+
IPD050N03LGATMA1 21+

IPD135N03LGATMA1 21+