參數名稱 參數值
是否無鉛 不含鉛
是否Rohs認證 符合
生命周期 Transferred
Objectid 2049524670
零件包裝代碼 SOIC
包裝說明 SOP-8
針數 8
Reach Compliance Code unknown
ECCN代碼 EAR99
風險等級 5.29
雪崩能效等級（Eas） 260 mJ
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓 30 V
最大漏極電流 (Abs) (ID) 20 A
最大漏極電流 (ID) 20 A
最大漏源導通電阻 0.004 Ω
FET 技術 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代碼 MS-012AA
JESD-30 代碼 R-PDSO-G8
JESD-609代碼 e3
濕度敏感等級 1
元件數量 1
端子數量 8
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度 155 °C
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 SMALL OUTLINE
峰值回流溫度（攝氏度） 260
極性/信道類型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 2.5 W
最大脈沖漏極電流 (IDM) 160 A
認證狀態 Not Qualified
子類別 FET General Purpose Power
表面貼裝 YES
端子面層 Matte Tin (Sn)
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
處于峰值回流溫度下的最長時間 30
晶體管應用 SWITCHING
晶體管元件材料 SILICON