IRFB3306PBF

參數名稱 參數值
Source Content uid IRFB3306PBF
是否Rohs認證 符合
生命周期 Active
Objectid 8006009544
包裝說明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code compliant
ECCN代碼 EAR99
Factory Lead Time 53 weeks 1 day
風險等級 1.21
Samacsys Description MOSFET N-Channel 60V 160A HEXFET TO220AB Infineon IRFB3306PBF N-channel MOSFET Transistor, 160 A, 60 V, 3-Pin TO-220AB
Samacsys Manufacturer Infineon
雪崩能效等級（Eas） 184 mJ
外殼連接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓 60 V
最大漏極電流 (Abs) (ID) 160 A
最大漏極電流 (ID) 160 A
最大漏源導通電阻 0.0042 Ω
FET 技術 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代碼 TO-220AB
JESD-30 代碼 R-PSFM-T3
元件數量 1
端子數量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度 175 °C
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 FLANGE MOUNT
峰值回流溫度（攝氏度） NOT SPECIFIED
極性/信道類型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 230 W
最大脈沖漏極電流 (IDM) 620 A
認證狀態 Not Qualified
子類別 FET General Purpose Power
表面貼裝 NO
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
處于峰值回流溫度下的最長時間 NOT SPECIFIED
晶體管應用 SWITCHING
晶體管元件材料 SILICON