參數名稱 參數值
是否Rohs認證
符合
生命周期 Transferred
Objectid 1388777711
包裝說明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code compliant
ECCN代碼 EAR99
風險等級 5.78
雪崩能效等級（Eas） 1025 mJ
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓 60 V
最大漏極電流 (ID) 195 A
最大漏源導通電阻 0.002 Ω
FET 技術 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代碼 TO-220AB
JESD-30 代碼 R-PSFM-T3
JESD-609代碼 e3
元件數量 1
端子數量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 FLANGE MOUNT
峰值回流溫度（攝氏度） 250
極性/信道類型 N-CHANNEL
最大脈沖漏極電流 (IDM) 760 A
表面貼裝 NO
端子面層 MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
處于峰值回流溫度下的最長時間 30
晶體管應用 SWITCHING
晶體管元件材料 SILICON
