類別
分立半導體產品
晶體管-FET，MOSFET-單個
制造商
VishaySiliconix
系列
-
包裝
卷帶（TR）
剪切帶（CT）
產品狀態
在售
FET類型
N通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
100V
25°C時電流-連續漏極(Id)
1.5A（Tc）
驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）
4V，5V
不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）
540毫歐@900mA，5V
不同Id時Vgs(th)（最大值）
2V@250μA
不同Vgs時柵極電荷(Qg)（最大值）
6.1nC@5V
Vgs（最大值）
±10V
不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）
250pF@25V
FET功能
-
功率耗散（最大值）
2W（Ta），3.1W（Tc）
工作溫度
-55°C~150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
SOT-223
封裝/外殼
TO-261-4，TO-261AA
基本產品編號
IRLL110
ADM213EARSZ-REEL
MKE14Z128VLH7
MKE14Z64VLF4
FTXL710-BM2
FTXL710-BM1
J1900
KSZ8081MNXIA-TR
LMV358M8G-13
