類別
分立半導體產品
晶體管-FET，MOSFET-單個
制造商
InfineonTechnologies
系列
CoolSiC
包裝
管件
產品狀態
在售
FET類型
N通道
技術
SiCFET（碳化硅）
漏源電壓（Vdss）
1200V
25°C時電流-連續漏極(Id)
56A（Tc）
驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）
15V，18V
不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）
40毫歐@25A，18V
不同Id時Vgs(th)（最大值）
5.7V@10mA
不同Vgs時柵極電荷(Qg)（最大值）
63nC@18V
Vgs（最大值）
+23V，-7V
不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）
2120pF@800V
FET功能
-
功率耗散（最大值）
227W（Tc）
工作溫度
-55°C~175°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
PG-TO247-3-41
封裝/外殼
TO-247-3
基本產品編號
IMW120
STM32L031G6U3TR
ISL95856HRZ
ISL6625ACRZ
30280FCHP#U3B
HIP4082IBZT
ADW71205YSTZ
