類別
分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單個
制造商
onsemi
系列
-
包裝
卷帶（TR）
剪切帶（CT）
Product Status
在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
60 V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)
20A（Ta），94A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
4.5 毫歐 @ 50A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）
20.4 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
1510 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3.7W（Ta），80W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封裝/外殼
8-PowerTDFN，5 引線
CSD18502Q5B
SN74HC245PWR
TPD1E10B06DPYR
LM1117IMPX-3.3
DRV8837DSGR
TPS5430DDAR
TPD4EUSB30DQAR
