STP110N8F6
參數名稱 參數值
Source Content uid STP110N8F6
Brand Name STMicroelectronics
生命周期 Active
Objectid 8102215463
包裝說明 TO-220, 3 PIN
Reach Compliance Code not_compliant
Country Of Origin Mainland China
ECCN代碼 EAR99
Factory Lead Time 53 weeks 1 day
風險等級 1.59
Samacsys Description MOSFET N-channel 80 V, 0.0056 Ohm typ., 110 A, STripFET F6 Power MOSFET in a TO-220 package
Samacsys Manufacturer STMicroelectronics
Samacsys Modified On 2022-07-08 14:47:23
YTEOL 5.55
雪崩能效等級（Eas） 180 mJ
外殼連接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓 80 V
最大漏極電流 (ID) 110 A
最大漏源導通電阻 0.0065 Ω
FET 技術 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代碼 TO-220AB
JESD-30 代碼 R-PSFM-T3
元件數量 1
端子數量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最低工作溫度 -55 °C
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 FLANGE MOUNT
峰值回流溫度（攝氏度） NOT SPECIFIED
極性/信道類型 N-CHANNEL
最大脈沖漏極電流 (IDM) 440 A
表面貼裝 NO
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
處于峰值回流溫度下的最長時間 NOT SPECIFIED
晶體管應用 SWITCHING
晶體管元件材料 SILICON