SISS54DN-T1-GE3

制造商: Vishay
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: PowerPAK-1212-8S
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續漏極電流: 185.6 A
Rds On-漏源導通電阻: 1.06 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 12 V, + 16 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.2 V
Qg-柵極電荷: 47.5 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 65.7 W
通道模式: Enhancement
商標名: TrenchFET
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標: Vishay / Siliconix
配置: Single
下降時間: 7 ns
正向跨導 - 最小值: 117 S
產品類型: MOSFET
上升時間: 7 ns
工廠包裝數量: 3000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: TrenchFET Gen V Power MOSFET
典型關閉延遲時間: 28 ns
典型接通延遲時間: 12 ns