RF5L15120CB4

制造商: STMicroelectronics
產品種類: 射頻金屬氧化物半導體場效應(RF MOSFET)晶體管
RoHS: 詳細信息
晶體管極性: Dual N-Channel
技術: Si
Vds-漏源極擊穿電壓: 95 V
Rds On-漏源導通電阻: 1 Ohms
工作頻率: 1 GHz
增益: 20 dB
輸出功率: 120 W
最大工作溫度: + 200 C
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: LBB-5
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標: STMicroelectronics
濕度敏感性: Yes
通道數量: 2 Channel
產品類型: RF MOSFET Transistors
工廠包裝數量: 100
子類別: MOSFETs
晶體管類型: LDMOS FET
類型: RF Power MOSFET
Vgs - 柵極-源極電壓: - 8 V, 10 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.8 V