TK5R3E08QM,S1X

制造商: Toshiba
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220AB-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 80 V
Id-連續漏極電流: 120 A
Rds On-漏源導通電阻: 5.3 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3.5 V
Qg-柵極電荷: 55 nC
最小工作溫度: -
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 150 W
通道模式: Enhancement
系列: UMOS X-H
封裝: Tube
商標: Toshiba
下降時間: 81 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 81 ns
工廠包裝數量: 50
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關閉延遲時間: 130 ns
典型接通延遲時間: 99 ns
零件號別名: TK5R3E08QM,S1X(S