K4AAG085WA-BIWE DDR4 SDRAM存儲器芯片
16Gb DDR4 SDRAM A管芯被組織為256Mbit x 4 IO x16銀行或128Mbit x8 IO x 16銀行設備。
該同步設備在一般應用中實現了高達3200Mb/seclpin（DDR4-3200）的高速雙數據速率傳輸。
該芯片設計為符合以下關鍵DDR4 SDRAM特性，如張貼的CAS、可編程CWL、，內部（自）校準。
使用ODT引腳和異步復位的片上終端。所有控制和地址輸入都與一對外部提供的差分時鐘同步。
輸入被鎖存在差分時鐘的交叉點（CK上升和CK下降）。所有的VOs都與源同步方式中的一對雙向選通器（DOS和DOS）同步。
地址總線用于以RAS/CAS多路復用方式傳遞行、列和銀行地址信息。
DDR4設備使用單個1.2V（1.14V~1.26V）電源和1.2V（1.14V-1.26V）供電。16Gb DDR4 a芯片設備有78球FBGA（x4/x8）
密集
16 Gb
組織。
2G x 8個
速度
3200 Mbps
電壓
1.2伏
工作溫度
0~85攝氏度
