K4B4G1646E-BMMA4Gb DDR3L SDRAM 96FBGA

256Mx16 K4B4G1646E-BYK0 K4B4G1646E-BYMA 96 FBGA

256Mx16 K4B4G1646E-BMK0 K4B4G1646E-BMMA 96 FBGA

• JEDEC standard 1.35V(1.28V~1.45V) & 1.5V(1.425V~1.575V)
• VDDQ = 1.35V(1.28V~1.45V) & 1.5V(1.425V~1.575V)
• 400 MHz fCK for 800Mb/sec/pin, 533MHz fCK for 1066Mb/sec/pin,
667MHz fCK for 1333Mb/sec/pin, 800MHz fCK for 1600Mb/sec/pin
933MHz fCK for 1866Mb/sec/pin
4Gb DDR3 SDRAM E-die結構為32Mbit x 16I/ o x 8bank，
設備。該同步裝置實現了高速雙數據速率
傳輸速率高達1866Mb/sec/pin (DDR3-1866)，適用于一般應用。
該芯片設計符合以下關鍵DDR3 SDRAM功能功能，如貼附CAS，可編程CWL，內部(自)校準，
使用ODT引腳和異步復位的芯片終止。
所有的控制和地址輸入與一對外部最終提供的差分時鐘同步。輸入鎖存于不同時鐘的交叉點(CK上升和CK下降)。所有的I/ o都同步到a
一對雙向頻閃燈(DQS和DQS)在一個源同步閃光燈離子。地址總線用于傳遞行、列和銀行地址
RAS/CAS多路復用方式的信息。DDR3設備運行
單路1.35V(1.28V~1.45V)或1.5V(1.425V~1.575V)電源
和1.35V(1.28V~1.45V)或1.5V(1.425V~1.575V) VDDQ。
4Gb DDR3L E-die器件提供96ball FBGAs(x16)。